IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。德國西門康IGBT功率模塊SKM200/300GBD齊全

賽米控提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊，支持不同的拓撲結(jié)構(gòu)、額定電流和電壓。這些IGBT模塊的電流范圍為4A至1400A，電壓級別為600V至1800V?？捎糜诟鞣N應用，并采用多項關鍵技術，提供不同的拓撲結(jié)構(gòu)，如CIB、半橋、H橋、三相全橋和三電平等。西門康IGBT模塊SKM200GAH123/126半導體模塊

IGBT動態(tài)特性是 ：IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。靜態(tài)特性有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關特。6U德國西門康IGBT功率模塊六單元全新現(xiàn)貨

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。西門康模塊IGBT模塊斬波模塊(IGBT+二極管)

西門康IGBT驅(qū)動板 包括三大類：Driver驅(qū)動板、Driver Core驅(qū)動芯、Adaptor Board適配板，適于驅(qū)動600V、1200V、1700V三種電壓等級的IGBT模塊。IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；西門康IGBT模塊SKM電子元器件半導體全系列