IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。德國西門康IGBT功率模塊SKM200/300GBD齊全

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江蘇芯鉆時代電子科技有限公司，專業(yè)從事電氣線路保護設備和電工電力元器件模塊的服務與銷售，具有豐富的熔斷器、電容器、IGBT模塊、二極管、可控硅、IC類銷售經(jīng)驗的專業(yè)公司。公司以代理分銷艾賽斯、英飛凌系列、賽米控系列，富士系列等模塊為主，同時經(jīng)營銷售美國巴斯曼熔斷器、 西門子熔斷器、美爾森熔斷器、力特熔斷器等電氣保護。

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